HAL : hal-00342764, version 1

DOI : 10.1016/j.tsf.2008.06.061

Fiche détaillée

Récupérer au format BibTeX - EndNote - TEI - RefWorks -

Thin Solid Films 517 (2008) 544-549

Structural and dielectric properties of oxynitride perovskite LaTiOxNy thin films

Laurent Le Gendre 1, Claire Le Paven-Thivet 1, Ahmed Ziani 1, Jacques Pinel 1, Didier Fasquelle 2, Jean-Claude Carru 2, Franck Tessier 3

(25/06/2008)

Oxynitride LaTiOxNy films have been deposited by sputtering with substrate temperature =[800−900 °C] and nitrogen ratio in the plasma =[0−71%]. Distinct nitrogen amounts in films were measured, in agreement with the observed variation of the bang-gap, from Eg=3.45 eV for the transparent film to Eg=2.20 eV for the coloured nitrogen-rich film. The films are polycrystalline, (00l) oriented or epitaxially grown on Nb-doped SrTiO3 substrates. The dielectric constant ε' decreases with increasing nitrogen amount and polycrystalline character of films. The ε' values are high, ranging from 290 to 1220 (room temperature, 10 kHz).

1 :	Institut d'Electronique et de Télécommunications de Rennes (IETR)
	CNRS : UMR6164 – Université de Rennes 1 – Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Rennes – SUPELEC
2 :	LEMCEL (LEMCEL)
	Université du Littoral Côte d'Opale
3 :	Institut des Sciences Chimiques de Rennes
	CNRS : UMR6226 – Université de Rennes 1 – Institut National des Sciences Appliquées (INSA) - Rennes – Ecole Nationale Supérieure de Chimie de Rennes

Équipe de recherche : Matériaux fonctionnels (MF)

Domaine

:

Chimie/Matériaux

Mots Clés : LaTiOxNy – Thin films – Oxynitride – Perovskite – Epitaxy – Reactive sputtering – Dielectric constant

hal-00342764, version 1

http://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00342764

oai:hal.archives-ouvertes.fr:hal-00342764

Contributeur : Laurent Le Gendre <>

Soumis le : Vendredi 28 Novembre 2008, 14:01:19

Dernière modification le : Mercredi 27 Mars 2013, 17:41:21