Stabilisation of the cubic phase of HfO2 by Y addition in films grown by metal organic chemical vapor deposition

E. Rauwel (1) , C. Dubourdieu (1) , B. Holländer (2) , N. Rochat (3) , F. Ducroquet (4) , M.D. Rossell (5) , G. van Tendeloo (5) , B. Pelissier (6)

1 LMGP - Laboratoire des matériaux et du génie physique
2 ISG1 - Institut für Schichten und Grenzflächen (ISG1) and Center of Nanoelectronics Systems for Information Technology
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 IMEP - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
5 EMAT - Electron Microscopy for Material Resaerch (EMAT)
6 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique

Mots clés: high K; oxide; stabilisation; permittivity; MOCVD

Domaines: Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

E. Rauwel, C. Dubourdieu, B. Holländer, N. Rochat, F. Ducroquet, et al.. Stabilisation of the cubic phase of HfO2 by Y addition in films grown by metal organic chemical vapor deposition. Applied Physics Letters, 2006, 89, pp.012902. ⟨hal-00134894⟩