Unified Analysis of Degraded Base Current in SiGe:C HBTs after Reverse and Forward Reliability Stress - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Unified Analysis of Degraded Base Current in SiGe:C HBTs after Reverse and Forward Reliability Stress

M. Ruat
  • Fonction : Auteur
N. Revil
  • Fonction : Auteur
G. Pananakakis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00147125

Soumis le : mercredi 16 mai 2007-08:47:42

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147125 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147125 , version 1

Citer

M. Ruat, N. Revil, G. Pananakakis, G. Ghibaudo. Unified Analysis of Degraded Base Current in SiGe:C HBTs after Reverse and Forward Reliability Stress. IEEE Bipolar - BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM2006), 2006, Maastricht, Netherlands. pp.XX. ⟨hal-00147125⟩

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