Refined electrical analysis of two charge states transition characteristic of "borderless" silicon nitride - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Refined electrical analysis of two charge states transition characteristic of "borderless" silicon nitride

G. Beylier
  • Fonction : Auteur
S. Bruyère
  • Fonction : Auteur
D. Benoit
  • Fonction : Auteur
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00147130

Soumis le : mercredi 16 mai 2007-08:51:46

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:54

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147130 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147130 , version 1

Citer

G. Beylier, S. Bruyère, D. Benoit, G. Ghibaudo. Refined electrical analysis of two charge states transition characteristic of "borderless" silicon nitride. WoDIM 2006, 2006, Catania, Italy. pp.XX. ⟨hal-00147130⟩

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