New insight on Stress Induced Leakage Current on SiO2/HfO2 stack - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

New insight on Stress Induced Leakage Current on SiO2/HfO2 stack

M. Rafik
  • Fonction : Auteur
G. Ribes
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147141 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147141 , version 1

Citer

M. Rafik, G. Ribes, G. Ghibaudo. New insight on Stress Induced Leakage Current on SiO2/HfO2 stack. XX, 2006, XX, France. pp.XX. ⟨hal-00147141⟩

Collections

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