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Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Reliability characteristics of 150GHz fT/fmax Heterojunction Bipolar Transistors under reverse, forward and mixed-mode stress

M. Ruat
  • Fonction : Auteur
J. Bourgeat
  • Fonction : Auteur
M. Marin
  • Fonction : Auteur
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
CV
N. Revil
  • Fonction : Auteur
G. Pananakakis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00147143

Soumis le : mercredi 16 mai 2007-09:04:44

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:09:55

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147143 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147143 , version 1

Citer

M. Ruat, J. Bourgeat, M. Marin, G. Ghibaudo, N. Revil, et al.. Reliability characteristics of 150GHz fT/fmax Heterojunction Bipolar Transistors under reverse, forward and mixed-mode stress. Int. Reliability Workshop 2006, 2006, Stanford Sierra, United States. pp.XX. ⟨hal-00147143⟩

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