Experimental evidence of mobility enhancement in short-channel ultra-thin body double-gate MOSFETs - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Experimental evidence of mobility enhancement in short-channel ultra-thin body double-gate MOSFETs

W. Chaisantikulwat
  • Fonction : Auteur
M. Mouis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
CV
S. Cristoloveanu
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
J. Widiez
  • Fonction : Auteur
M. Vinet
S. Deleonibus
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00147170

Soumis le : mercredi 16 mai 2007-09:37:38

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:05:30

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147170 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147170 , version 1

Citer

W. Chaisantikulwat, M. Mouis, G. Ghibaudo, S. Cristoloveanu, J. Widiez, et al.. Experimental evidence of mobility enhancement in short-channel ultra-thin body double-gate MOSFETs. 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC'06), 2006, Genève, Switzerland. Actes pp. 367-370. ⟨hal-00147170⟩

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