Communication Dans Un Congrès
Année : 2006
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00147175
Soumis le : mercredi 16 mai 2007-09:46:48
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:48
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00147175 , version 1
Citer
J. Widiez, M. Vinet, B. Guillaumot, T. Poiroux, D. Lafond, et al.. Fully Depleted SOI MOSFETs with WSix metal gate on HfO2 gate dielectric. 2006 International SOI Conference, 2006, Etats-Unis, United States. Actes pp. 161-162. ⟨hal-00147175⟩
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