65 nm RFCMOS technologies with bulk and HR SOI substrate for millimeter wave passives and circuits characterized up to 220 GHz - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

65 nm RFCMOS technologies with bulk and HR SOI substrate for millimeter wave passives and circuits characterized up to 220 GHz

F. Gianesello
  • Fonction : Auteur
D. Gloria
  • Fonction : Auteur
S. Montusclat
  • Fonction : Auteur
C. Raynaud
S. Boret
  • Fonction : Auteur
C. Clément
  • Fonction : Auteur
Gilles Dambrine
Sylvie Lepilliet
F. Saguin
  • Fonction : Auteur
P. Scheer
  • Fonction : Auteur
Ph. Benech
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
J.M. Fournier
  • Fonction : Auteur
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique

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Traitement du signal et de l'image [eess.SP] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electromagnétisme Traitement du signal et de l'image [eess.SP]

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https://hal.science/hal-00147870

Soumis le : lundi 21 mai 2007-11:22:58

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:33

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147870 , version 1 (21-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147870 , version 1

Citer

F. Gianesello, D. Gloria, S. Montusclat, C. Raynaud, S. Boret, et al.. 65 nm RFCMOS technologies with bulk and HR SOI substrate for millimeter wave passives and circuits characterized up to 220 GHz. IMS2006- 2006 IEEE MTT-S, 2006, San Francisco, United States. pp.XX. ⟨hal-00147870⟩

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