Mesures de magnétorésistance pour caractériser la mobilité dans les MOSFETs à empilement de grille TiN/HfO2/SiO2 - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Mesures de magnétorésistance pour caractériser la mobilité dans les MOSFETs à empilement de grille TiN/HfO2/SiO2

L. Thevenod
  • Fonction : Auteur
M. Cassé
W. Desrat
M. Mouis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
G. Reimbold
  • Fonction : Auteur
F. Boulanger
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00148277

Soumis le : mardi 22 mai 2007-10:46:53

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:04:36

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Dates et versions

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Identifiants

  • HAL Id : hal-00148277 , version 1

Citer

L. Thevenod, M. Cassé, W. Desrat, M. Mouis, G. Reimbold, et al.. Mesures de magnétorésistance pour caractériser la mobilité dans les MOSFETs à empilement de grille TiN/HfO2/SiO2. Journées "Simulation et caractérisation des nanocomposants" du GDR Nanoélectronique, 2006, GRENOBLE, France. pp.XX. ⟨hal-00148277⟩

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