Caractérisation et modélisation entre 40 MHz et 114 GHz de diodes PIN monolithiques sur substrat SOI - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Caractérisation et modélisation entre 40 MHz et 114 GHz de diodes PIN monolithiques sur substrat SOI

E. Duraz
  • Fonction : Auteur
L. Duvillaret
  • Fonction : Auteur
Philippe Ferrari
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
CV
J.L. Coutaz
Université Savoie Mont Blanc
CV
J.P. Ghesquiers
  • Fonction : Auteur

Domaines

Traitement du signal et de l'image [eess.SP] Micro et nanotechnologies/Microélectronique Electromagnétisme Traitement du signal et de l'image [eess.SP]

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https://hal.science/hal-00148317

Soumis le : mardi 22 mai 2007-11:18:34

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:25:52

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Dates et versions

hal-00148317 , version 1 (22-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00148317 , version 1

Citer

E. Duraz, L. Duvillaret, Philippe Ferrari, J.L. Coutaz, J.P. Ghesquiers. Caractérisation et modélisation entre 40 MHz et 114 GHz de diodes PIN monolithiques sur substrat SOI. 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Grenoble, France. pp.XX. ⟨hal-00148317⟩

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