Article Dans Une Revue
Japanese Journal of Applied Physics
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00391667
Soumis le : jeudi 4 juin 2009-14:12:55
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:56:32
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391667 , version 1
Citer
A. Ohata, C. Gallon, C. Fenouillet-Beranger, S. Cristoloveanu. Investigation of mobility enhancement effect in process-induced strained ultrathin silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.. Japanese Journal of Applied Physics, 2008, 47 (4, XX-XX). ⟨hal-00391667⟩
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