Analysis of Electron Mobility in HfO2/TiN MOSFETs: The influence of HfO2 thickness, Temperature and oxide charge - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Analysis of Electron Mobility in HfO2/TiN MOSFETs: The influence of HfO2 thickness, Temperature and oxide charge

M.A. Negara
  • Fonction : Auteur
K. Cherkaoui
  • Fonction : Auteur
C.D. Young
  • Fonction : Auteur
P. Majhi
  • Fonction : Auteur
W. Tsai
  • Fonction : Auteur
D. Bauza
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
P.K. Hurley
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00391866

Soumis le : vendredi 5 juin 2009-10:11:42

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:21:21

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00391866 , version 1 (05-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00391866 , version 1

Citer

M.A. Negara, K. Cherkaoui, C.D. Young, P. Majhi, W. Tsai, et al.. Analysis of Electron Mobility in HfO2/TiN MOSFETs: The influence of HfO2 thickness, Temperature and oxide charge. 39th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference, San Diego, Dec 2008, USA, France. ⟨hal-00391866⟩

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