Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00391868
Soumis le : vendredi 5 juin 2009-10:16:03
Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-15:27:46
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00391868 , version 1
Citer
O. Ghobar, N. Guénifi, D. Bauza. Further evidences that Pb0 centers dominates Si-SiO2 interface traps in fully processed MOSFET's. 15th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, Jun 2008, BERLIN, France. ⟨hal-00391868⟩
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