Mobility of strained and unstrained short channel MOSFETs: New insight by magnetoresistance - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Mobility of strained and unstrained short channel MOSFETs: New insight by magnetoresistance

M. Cassé
F. Rochette
  • Fonction : Auteur
N. Bhouri
  • Fonction : Auteur
F. Andrieu
  • Fonction : Auteur
K. Romanjek
  • Fonction : Auteur
Duncan Kennedy Maude
  • Fonction : Auteur
M. Mouis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Reimbold
  • Fonction : Auteur
F. Boulanger
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00392545

Soumis le : lundi 8 juin 2009-13:48:37

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:49:56

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Dates et versions

hal-00392545 , version 1 (08-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00392545 , version 1

Citer

M. Cassé, F. Rochette, N. Bhouri, F. Andrieu, K. Romanjek, et al.. Mobility of strained and unstrained short channel MOSFETs: New insight by magnetoresistance. 2008 Symposium on VLSI Technology, June 17-20, 2008, Honolulu, Hawaï (USA) Proceedings IEEE, Jun 2008, Honolulu, United States. pp.170-1. ⟨hal-00392545⟩

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