The influence of HfO2 film thickness on the interface state density and low field mobility of n channel HfO2/TiN gate MOSFETs - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2007

The influence of HfO2 film thickness on the interface state density and low field mobility of n channel HfO2/TiN gate MOSFETs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00393091

Soumis le : mardi 9 juin 2009-14:48:59

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:17:24

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Dates et versions

hal-00393091 , version 1 (09-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00393091 , version 1

Citer

M. Negara, K. Cherkaoui, P. Majhi, C. Young, W. Tsai, et al.. The influence of HfO2 film thickness on the interface state density and low field mobility of n channel HfO2/TiN gate MOSFETs. Microelectronic Engineering, 2007, 84 (9-10), pp.1874-1877. ⟨hal-00393091⟩

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