Modeling of remote Coulomb scattering limited mobility in MOSFETs with HfO2/SiO2 gate stacks - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2007

Modeling of remote Coulomb scattering limited mobility in MOSFETs with HfO2/SiO2 gate stacks

S. Barraud
  • Fonction : Auteur
L. Thévenod
  • Fonction : Auteur
M. Cassé
O. Bonno
  • Fonction : Auteur
M. Mouis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00393320

Soumis le : mardi 9 juin 2009-15:16:28

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:56:32

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Dates et versions

hal-00393320 , version 1 (09-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00393320 , version 1

Citer

S. Barraud, L. Thévenod, M. Cassé, O. Bonno, M. Mouis. Modeling of remote Coulomb scattering limited mobility in MOSFETs with HfO2/SiO2 gate stacks. Microelectronic Engineering, 2007, 84 (9-10), pp.2404-2407. ⟨hal-00393320⟩

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