Experimental evidence of mobility enhancement in short-channel ultra-thin body double-gate MOSFETs by magnetoresistance technique - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2007

Experimental evidence of mobility enhancement in short-channel ultra-thin body double-gate MOSFETs by magnetoresistance technique

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00393713

Soumis le : mardi 9 juin 2009-16:29:03

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:10:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00393713 , version 1 (09-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00393713 , version 1

Citer

W. Chaisantikulwat, M. Mouis, G. Ghibaudo, S. Cristoloveanu, J. Widiez, et al.. Experimental evidence of mobility enhancement in short-channel ultra-thin body double-gate MOSFETs by magnetoresistance technique. Solid-State Electronics, 2007, 51 (11-12), pp.1494-1499. ⟨hal-00393713⟩

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