Scanning probe based quantification of charge storage in metallic and semiconductor dots for Non Volatile Memory applications - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Scanning probe based quantification of charge storage in metallic and semiconductor dots for Non Volatile Memory applications

M. Gordon
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
T. Baron
Laboratoire des technologies de la microélectronique
K. Aissou
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
P. Mur
  • Fonction : Auteur
J. Dufourcq
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00395867

Soumis le : mardi 16 juin 2009-15:15:11

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:23:40

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00395867 , version 1 (16-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00395867 , version 1

Citer

M. Gordon, T. Baron, K. Aissou, P. Mur, J. Dufourcq. Scanning probe based quantification of charge storage in metallic and semiconductor dots for Non Volatile Memory applications. MRS Fall Meeting Boston, Symposium O, 2006, boston, United States. ⟨hal-00395867⟩

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