Line edge roughness characterization with a three dimensional atomic force microscope: Transfer during gate patterning processes - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2005

Line edge roughness characterization with a three dimensional atomic force microscope: Transfer during gate patterning processes

J. Thiault
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
J. Foucher
  • Fonction : Auteur
J.H. Tortai
Laboratoire des technologies de la microélectronique
O. Joubert
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
S. Landis
  • Fonction : Auteur
Département Nanotec
S. Pauliac
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00397051

Soumis le : vendredi 19 juin 2009-14:20:29

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:16:43

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Dates et versions

hal-00397051 , version 1 (19-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397051 , version 1

Citer

J. Thiault, J. Foucher, J.H. Tortai, O. Joubert, S. Landis, et al.. Line edge roughness characterization with a three dimensional atomic force microscope: Transfer during gate patterning processes. Journal of Vacuum Science and Technology, 2005, pp.B 23 3075-3079. ⟨hal-00397051⟩

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