Etching characteristics of TiN used as hard mask in dielectric etch process - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue J. Vac. Sc. Technol. Année : 2006

Etching characteristics of TiN used as hard mask in dielectric etch process

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00397064

Soumis le : vendredi 19 juin 2009-14:30:58

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:16:43

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Dates et versions

hal-00397064 , version 1 (19-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397064 , version 1

Citer

Maxime Darnon, T. Chevolleau, D. Eon, L. Vallier, J. Torres, et al.. Etching characteristics of TiN used as hard mask in dielectric etch process. J. Vac. Sc. Technol., 2006, B 24, pp.2262-2270. ⟨hal-00397064⟩

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