Tungsten metal gate etching in Cl2/O2 inductively coupled high density plasmas - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2008

Tungsten metal gate etching in Cl2/O2 inductively coupled high density plasmas

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00397097

Soumis le : vendredi 19 juin 2009-15:18:03

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:17:38

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Dates et versions

hal-00397097 , version 1 (19-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397097 , version 1

Citer

T. Morel, S. Barnola, R. Ramos, A. Beaurain, E. Pargon, et al.. Tungsten metal gate etching in Cl2/O2 inductively coupled high density plasmas. Journal of Vacuum Science and Technology, 2008, pp.B 26, (2008), 1875-1882. ⟨hal-00397097⟩

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