Plasma/reactor wall interactions in gate etching processes - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Plasma/reactor wall interactions in gate etching processes

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00397119

Soumis le : vendredi 19 juin 2009-15:41:42

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:52:26

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00397119 , version 1 (19-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00397119 , version 1

Citer

G. Cunge, R. Ramos, O. R. Joubert, N. Sadeghi, M. Mori. Plasma/reactor wall interactions in gate etching processes. 27th International symposium on dry process (DPS), 2005, jeju, South Korea. ⟨hal-00397119⟩

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