Plasma etching of nano-scale feature in Silicon : application to ultimate CMOS gates and quantum nanowires - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2001

Plasma etching of nano-scale feature in Silicon : application to ultimate CMOS gates and quantum nanowires

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00481950 , version 1 (07-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00481950 , version 1

Citer

G. Cunge, J. Foucher, L. Vallier, O. Joubert. Plasma etching of nano-scale feature in Silicon : application to ultimate CMOS gates and quantum nanowires. ISPC, 15th International Symposium on Plasma Chemistry, 2001, Orléans, France. ⟨hal-00481950⟩
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