Plasma-wall interaction studies during gate etch processes - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00486306 , version 1 (25-05-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00486306 , version 1

Citer

G. Cunge, M. Kogelschatz, N. Sadeghi, L. Vallier, O. Joubert. Plasma-wall interaction studies during gate etch processes. AVS, 49th International AVS Symposium & Topical Conferences, 2002, Denver, United States. ⟨hal-00486306⟩
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