An isotropic SiGe etch process for the fabrication of Silicon On nothing transistors - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

An isotropic SiGe etch process for the fabrication of Silicon On nothing transistors

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00488334 , version 1 (01-06-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00488334 , version 1

Citer

T. Spraks, S. Rauf, G. Cunge, L. Vallier. An isotropic SiGe etch process for the fabrication of Silicon On nothing transistors. AVS, 51st International AVS Symposium, 2004, Anaheim, United States. ⟨hal-00488334⟩
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