Communication Dans Un Congrès
Année : 2000
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00494514
Soumis le : mercredi 23 juin 2010-14:27:18
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:00:56
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00494514 , version 1
Citer
D. Fuard, O. Joubert, L. Vallier, R.L. Inglebert, G. Cunge, et al.. Etch mechanisms of low dielectric constant materials in high density plasmas. 22nd Dry Process Symposium, 2000, Tokyo, Japan. ⟨hal-00494514⟩
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