Etch mechanisms of low dielectric constant materials in high density plasmas - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2000

Etch mechanisms of low dielectric constant materials in high density plasmas

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00494514

Soumis le : mercredi 23 juin 2010-14:27:18

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:00:56

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00494514 , version 1 (23-06-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00494514 , version 1

Citer

D. Fuard, O. Joubert, L. Vallier, R.L. Inglebert, G. Cunge, et al.. Etch mechanisms of low dielectric constant materials in high density plasmas. 22nd Dry Process Symposium, 2000, Tokyo, Japan. ⟨hal-00494514⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS FMNT LTM LITHOGRAPHY
42 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More