Three-Dimensional Real-Space Simulation of Surface Roughness in Silicon Nanowire FETs - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596081 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596081 , version 1

Citer

C. Buran, M.G. Pala, M. Bescond, M. Dubois, M. Mouis. Three-Dimensional Real-Space Simulation of Surface Roughness in Silicon Nanowire FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56 (10), pp.2186-2192. ⟨hal-00596081⟩
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