Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596081
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-14:39:25
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:05:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596081 , version 1
Citer
C. Buran, M.G. Pala, M. Bescond, M. Dubois, M. Mouis. Three-Dimensional Real-Space Simulation of Surface Roughness in Silicon Nanowire FETs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2009, 56 (10), pp.2186-2192. ⟨hal-00596081⟩
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