Analysis of electron mobility in HfO2/TiN gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors: The influence of HfO2 thickness, temperature and oxide charge - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journ. Appl. Phys. Année : 2009

Analysis of electron mobility in HfO2/TiN gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors: The influence of HfO2 thickness, temperature and oxide charge

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Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:22:35

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hal-00596109 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596109 , version 1

Citer

A. Negara, K. Cherkaoui, Hurley Hurley, C.D Young, P. Majhi, et al.. Analysis of electron mobility in HfO2/TiN gate metal-oxide-semiconductor field effect transistors: The influence of HfO2 thickness, temperature and oxide charge. Journ. Appl. Phys., 2009, 105 (2), pp.024510:1-8. ⟨hal-00596109⟩

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