High-hole-mobility silicon germanium on insulator substrates with high crystalline quality obtained by the germanium condensation technique - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of The Electrochemical Society Année : 2009

High-hole-mobility silicon germanium on insulator substrates with high crystalline quality obtained by the germanium condensation technique

Domaines

Autre [cond-mat.other] Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00596115

Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:27:17

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:49:56

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596115 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596115 , version 1

Citer

L. Souriau, T. Nguyen, E. Augendre, R. Loo, V. Terzieva, et al.. High-hole-mobility silicon germanium on insulator substrates with high crystalline quality obtained by the germanium condensation technique. Journal of The Electrochemical Society, 2009, 156 (3), pp.H208-H213. ⟨hal-00596115⟩

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