Tuning the dipole at the High-/SiO2 interface in advanced metal gate stacks. - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2009

Tuning the dipole at the High-/SiO2 interface in advanced metal gate stacks.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596131 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596131 , version 1

Citer

M. Charbonnier, Cédric Leroux, V. Cosnier, P. Besson, F. Martin, et al.. Tuning the dipole at the High-/SiO2 interface in advanced metal gate stacks.. Microelectronic Engineering, 2009, 86, pp.1740-1742. ⟨hal-00596131⟩
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