Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2009
Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00596170
Soumis le : jeudi 26 mai 2011-16:18:34
Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-15:27:19
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00596170 , version 1
Citer
F. Rochette, M. Cassé, M. Mouis, A. Haziot, T. Pioger, et al.. Piezoresistance Effect of Strained and Unstrained Fully-Depleted Silicon-On-Insulator MOSFETs Integrating an HfO2/TiN Gate Stack. Solid-State Electronics, 2009, 53 (3), pp.392-396. ⟨hal-00596170⟩
43
Consultations
0
Téléchargements