Origin of low-frequency noise in pentacene field-effect transistors - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2010

Origin of low-frequency noise in pentacene field-effect transistors

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596355 , version 1 (27-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596355 , version 1

Citer

Y. Xu, T. Minari, K. Tsukagoshi, J. Chroboczek, F. Balestra, et al.. Origin of low-frequency noise in pentacene field-effect transistors. Solid-State Electronics, 2010, pp.In Press, Corrected Proof, Available online 4 February 2011. ⟨hal-00596355⟩
103 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More