Wideband frequency and in-situ characterization of ultra thin ZrO2 and HfO2 films for integrated MIM capacitors - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2010

Wideband frequency and in-situ characterization of ultra thin ZrO2 and HfO2 films for integrated MIM capacitors

T. Bertaud
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
C. Bermond
T. Lacrevaz
Corentin Vallée
  • Fonction : Auteur
Centre de Physique des Particules de Marseille
Y. Morand
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]
B. Fléchet
A. Farcy
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics
M. Gros-Jean
  • Fonction : Auteur
Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
S. Blonkowski
  • Fonction : Auteur
STMicroelectronics [Crolles]

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00602043

Soumis le : mardi 21 juin 2011-13:55:12

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:18:12

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Dates et versions

hal-00602043 , version 1 (21-06-2011)

Identifiants

Citer

T. Bertaud, C. Bermond, T. Lacrevaz, Corentin Vallée, Y. Morand, et al.. Wideband frequency and in-situ characterization of ultra thin ZrO2 and HfO2 films for integrated MIM capacitors. Microelectronic Engineering, 2010, 87 (3), pp.301-305. ⟨10.1016/j.mee.2009.06.016⟩. ⟨hal-00602043⟩

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