Special effects in triple gate MOSFETs fabricated on silicon-on-insulator (SOI) - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00603672 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603672 , version 1

Citer

Y. Bae, K.-I. Na, S. Cristoloveanu, W. Xiong, C.R. Cleavelin, et al.. Special effects in triple gate MOSFETs fabricated on silicon-on-insulator (SOI). International Semiconductor Conference, Oct 2009, Sinaia, Romania. pp.51-56. ⟨hal-00603672⟩
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