Flat-band voltage and structural properties of Hafnium Dioxide grown by liquid-injection MOCVD

F. Ducroquet; E. Rauwel; C. Dubourdieu

Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Flat-band voltage and structural properties of Hafnium Dioxide grown by liquid-injection MOCVD

(1, 2) , (3, 2) , (3, 2)

1
2
3

F. Ducroquet

Fonction : Auteur
PersonId : 171005
IdHAL : frederique-ducroquet
ORCID : 0000-0001-8770-9650
IdRef : 081930062

Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

E. Rauwel

Fonction : Auteur

Laboratoire des matériaux et du génie physique

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

C. Dubourdieu

Fonction : Auteur

Laboratoire des matériaux et du génie physique

Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00603681

Soumis le : lundi 27 juin 2011-10:06:50

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Dates et versions

hal-00603681 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

HAL Id : hal-00603681 , version 1

Citer

F. Ducroquet, E. Rauwel, C. Dubourdieu. Flat-band voltage and structural properties of Hafnium Dioxide grown by liquid-injection MOCVD. ECS Transactions, 2009, Vienne, Austria. pp.23-31. ⟨hal-00603681⟩

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