Advanced analysis of silicon interface traps in MOSFET's with SiO2 and HfO2 as gate dielectrics - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Advanced analysis of silicon interface traps in MOSFET's with SiO2 and HfO2 as gate dielectrics

D. Bauza
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
O. Ghobar
  • Fonction : Auteur
N. Guenifi
  • Fonction : Auteur
S. Bayon
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Soumis le : lundi 27 juin 2011-10:25:25

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Dates et versions

hal-00603697 , version 1 (27-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00603697 , version 1

Citer

D. Bauza, O. Ghobar, N. Guenifi, S. Bayon. Advanced analysis of silicon interface traps in MOSFET's with SiO2 and HfO2 as gate dielectrics. ECS Spring Meeting, May 2009, San Francisco, United States. pp.19-54. ⟨hal-00603697⟩

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