A stacked SONOS technology, up to 4 levels and 6nm crystalline nanowires, with gate-all-around or independent gates (Φ-Flash), suitable for full 3D integration.

A. Hubert (1) , Emmanuel Nowak (2) , K. Tachi , V. Maffini-Alvaro , C. Vizioz , C. Arvet , J.-P. Colonna , J.-M. Hartmann (3) , V. Loup (4) , L. Baud , S. Pauliac , V. Delaye (5) , C. Carabasse (5) , G. Molas , G. Ghibaudo (6) , B. de Salvo , O. Faynot (3) , T. Ernst (3)

1 FEMTO-ST - Franche-Comté Électronique Mécanique, Thermique et Optique - Sciences et Technologies (UMR 6174)
2 Bertin Technologies - Bertin Technologies
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
5 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
6 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

A. Hubert, Emmanuel Nowak, K. Tachi, V. Maffini-Alvaro, C. Vizioz, et al.. A stacked SONOS technology, up to 4 levels and 6nm crystalline nanowires, with gate-all-around or independent gates (Φ-Flash), suitable for full 3D integration.. IEEE International Electron Devices Meeting, Baltimore,, Dec 2009, United States. ⟨hal-00603802⟩