Extraction de la mobilité de magnétorésistance de nMOSFETs FD-SOI et sSOI courts à grille TiN/HfO2: discussion sur l'origine de sa dégradation - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00604952 , version 1 (30-06-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00604952 , version 1

Citer

F. Rochette, M. Cassé, M. Mouis. Extraction de la mobilité de magnétorésistance de nMOSFETs FD-SOI et sSOI courts à grille TiN/HfO2: discussion sur l'origine de sa dégradation. Journées Transport balistique du GDR Nanoélectronique,, May 2009, Orsay, France. ⟨hal-00604952⟩
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