Reducing damage to Si substrates during gate etching processes by synchronous plasma pulsing - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics Année : 2010

Reducing damage to Si substrates during gate etching processes by synchronous plasma pulsing

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C. Petit-Etienne, Maxime Darnon, L. Vallier, E. Pargon, G. Cunge, et al.. Reducing damage to Si substrates during gate etching processes by synchronous plasma pulsing. Journal of Vacuum Science & Technology B, Nanotechnology and Microelectronics, 2010, 28 (5), pp.926-935. ⟨10.1116/1.3483165⟩. ⟨hal-00623374⟩

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