Porous SiOCH integration: Etch challenges with a trench first metal hard mask approach

Nicolas Possémé (1) , Thibaut David (2, 1) , Thierry Chevolleau (2) , Maxime Darnon (2) , Philippe Brun , Marc Guillermet , Jean Pierre Oddou , Sebastien Barnola , Fanny Bailly (3) , Régis Bouyssou (3) , Julien Ducote (3) , Romain Hurand (2) , Christophe Vérove , Olivier Joubert (2)

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique
3 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Nicolas Possémé, Thibaut David, Thierry Chevolleau, Maxime Darnon, Philippe Brun, et al.. Porous SiOCH integration: Etch challenges with a trench first metal hard mask approach. Chinese Semiconductor Technology International Conference (CSTIC), Mar 2011, Shanghaï, China. pp.389-394, ⟨10.1149/1.3567609⟩. ⟨hal-00625347⟩