Electrical Instabilities of HfO2 Metal-insulator-metal Devices Under DC and AC Voltage Stresses - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00634167 , version 1 (20-10-2011)

Licence

Paternité

Identifiants

  • HAL Id : hal-00634167 , version 1

Citer

C. Mannequin, P. Gonon, C. Vallee, V. Jousseaume, H. Grampeix. Electrical Instabilities of HfO2 Metal-insulator-metal Devices Under DC and AC Voltage Stresses. Materials for Advanced Technologies (ICMAT), Jun 2011, Singapour, Singapore. ⟨hal-00634167⟩
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