Comparative study of non-polar switching behaviors of NiO and HfO2-based oxide resistive-RAMs

V. Jousseaume (1) , A. Fantini , J.F. Nodin , C. Guedj , A. Persico , J. Buckley , S. Tirano , P. Lorenzi , R. Vignon , H. Fledis , S. Minoret , H. Grampeix , A. Roule , S. Favier , E. Martinez , Pierre Calka , N. Rochat , G. Auvert , J.P. Barnes , P. Gonon (2) , Corentin Vallée (2) , L. Perniola , B. de Salvo

1 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 LTM - Laboratoire des technologies de la microélectronique

V. Jousseaume, A. Fantini, J.F. Nodin, C. Guedj, A. Persico, et al.. Comparative study of non-polar switching behaviors of NiO and HfO2-based oxide resistive-RAMs. Solid-State Electronics, 2011, 58, pp.62-67. ⟨hal-00669415⟩