Article Dans Une Revue
Thin Solid Films
Année : 2010
Marielle Clot : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00669421
Soumis le : lundi 13 février 2012-11:32:29
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:16:43
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00669421 , version 1
Citer
N. Dechoux, J.F Damlencourt, P. Rivallin, P. Brianceau, S. Bernasconi, et al.. Influence of induced stress on enrichment kinetic during local Ge condensation of SiGe/SOI mesas. Thin Solid Films, 2010, 518, pp.S92-S95. ⟨hal-00669421⟩
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