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Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Growth & Characterization of Si/SixGe1-x Axial heterostructures using VLS and VSS mechanism by RP-CVD

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Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00777306

Soumis le : jeudi 17 janvier 2013-12:22:29

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00777306 , version 1 (17-01-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00777306 , version 1

Citer

P. Periwal, T. Baron, L. Latu-Romain, G. Rosaz, S. Bassem, et al.. Growth & Characterization of Si/SixGe1-x Axial heterostructures using VLS and VSS mechanism by RP-CVD. E-MRS Warsaw, 2012, Sep 2012, Warsaw, Poland. ⟨hal-00777306⟩

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