Electrical characterisation of Vertical Gate-All-Around Si and SiGe Nanowires Field Effect Transistors
B. Salem
(1)
,
G. Rosaz
(1, 2)
,
N. Pauc
(2)
,
P. Gentile
(2)
,
A. Potié
(1)
,
T. Baron
(1)
,
L. Dupré
(2)
,
P. Periwal
(1)
,
L. Latu-Romain
(1)
,
S. David
(1)
B. Salem
- Fonction : Auteur
- PersonId : 174867
- IdHAL : bassem-salem
- ORCID : 0000-0001-8038-3205
- IdRef : 092216625
P. Gentile
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170318
- IdHAL : pascal-gentile
- ORCID : 0000-0002-1547-4247
- IdRef : 202987515
T. Baron
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739925
- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
- IdRef : 130661813
L. Latu-Romain
- Fonction : Auteur
- PersonId : 21942
- IdHAL : laurence-latu-romain
- ORCID : 0000-0002-9422-9636
- IdRef : 117889814
S. David
- Fonction : Auteur
- PersonId : 742757
- IdHAL : sylvain-david-in2p3