Impact of synchronized pulsed conditions on HBr cure to LWR reduction and etch resistance improvement of 193 nm photoresist - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Impact of synchronized pulsed conditions on HBr cure to LWR reduction and etch resistance improvement of 193 nm photoresist

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00808842

Soumis le : dimanche 7 avril 2013-19:17:26

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:17:38

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00808842 , version 1 (07-04-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00808842 , version 1

Citer

M. Brihoum, K. Menguelti, G. Cunge, E. Pargon, O. Joubert. Impact of synchronized pulsed conditions on HBr cure to LWR reduction and etch resistance improvement of 193 nm photoresist. Plasma Etch and Strip in Microelectronics (PESM), 5th International Workshop, Mar 2012, Grenoble, France. ⟨hal-00808842⟩

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