Investigation of plasma etch damage to porous oxycarbosilane ultra low- k dielectric - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Physics D: Applied Physics Année : 2013

Investigation of plasma etch damage to porous oxycarbosilane ultra low- k dielectric

R.L. Bruce
  • Fonction : Auteur
S. Engelmann
  • Fonction : Auteur
S. Purushothaman
  • Fonction : Auteur
W. Volksen
  • Fonction : Auteur
T.J. Frot
  • Fonction : Auteur
T. Magbitang
  • Fonction : Auteur
G. Dubois
  • Fonction : Auteur
Maxime Darnon
Laboratoire des technologies de la microélectronique
CV

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00860913

Soumis le : mercredi 11 septembre 2013-14:27:45

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:00:56

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00860913 , version 1 (11-09-2013)

Identifiants

Citer

R.L. Bruce, S. Engelmann, S. Purushothaman, W. Volksen, T.J. Frot, et al.. Investigation of plasma etch damage to porous oxycarbosilane ultra low- k dielectric. Journal of Physics D: Applied Physics, 2013, 46(26), pp.265303. ⟨10.1088/0022-3727/46/26/265303⟩. ⟨hal-00860913⟩

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