RF vs Dual Frequency: strong improvement of CMOS metal gate deposition (TaCN and TiCN) thanks to the precursor fragmentation modification - FMNT - Fédération Micro- et Nano- Technologies Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

RF vs Dual Frequency: strong improvement of CMOS metal gate deposition (TaCN and TiCN) thanks to the precursor fragmentation modification

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00908479

Soumis le : samedi 23 novembre 2013-16:13:08

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:01:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00908479 , version 1 (23-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00908479 , version 1

Citer

F. Piallat, Corentin Vallée, R. Gassilloud, P. Michallon, B. Pelissier, et al.. RF vs Dual Frequency: strong improvement of CMOS metal gate deposition (TaCN and TiCN) thanks to the precursor fragmentation modification. AVS 2013, Oct 2013, Long Beach, United States. ⟨hal-00908479⟩

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